Transistor MOSFET Canal N / 20A / 650V / Encapsulado TO-247 / Rds(on) 0.25Ω / Alta Eficiencia

Transistor MOSFET de canal N con capacidad de conmutación de 20A y soporta voltajes de hasta 650V, diseñado específicamente para aplicaciones en fuentes de poder conmutadas de alta eficiencia. Su encapsulado TO-247 incorpora tecnología avanzada que optimiza la disipación térmica, permitiendo operación continua estable incluso bajo condiciones de carga elevada. La baja resistencia en estado de conducción Rds(on) de 0.25Ω minimiza las pérdidas energéticas y reduce el calor generado durante el funcionamiento. Su configuración mecánica es compatible con disipadores estándar industriales, facilitando su integración en equipos existentes y simplificando los procedimientos de mantenimiento o reemplazo en sistemas de alimentación PS18DCX.

Características Generales

• Transistor MOSFET canal N, 20A, 650V
• Diseñado para fuentes conmutadas de alta eficiencia
• Tecnología avanzada de encapsulado TO-247
• Baja resistencia Rds(on) de 0.25Ω
• Disipación térmica optimizada para operación continua
• Compatible con disipadores estándar industriales