Transistor de RF / FET Canal N / 8 W / 520 MHz / 7.5 Vcc / SMD

Transistor de RF tipo N de alta potencia diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para amplificadores de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7.5 voltios. Ofrece potencia de salida de 8 watts con ganancia de potencia de 11 dB y eficiencia del 55%. Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie, presenta excelente estabilidad térmica y capacidad para manejar condiciones de VSWR 20:1. Su encapsulado de plástico SMD permite montaje superficial optimizado para producción en serie.

Características principales

• Transistor RF tipo N de alta potencia
• Frecuencia máxima de operación: 520 MHz
• Potencia de salida: 8 W
• Voltaje de operación: 7.5 Vcc
• Ganancia de potencia: 11 dB
• Eficiencia en RF: 55%
• Diseño SMD para montaje superficial
• Excelente estabilidad térmica
• Manejo de VSWR 20:1 @ 9.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación
• Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie

Especificaciones técnicas

Aplicaciones típicas

• Amplificadores de fuente común de gran señal
• Equipos FM portátiles de 7.5 V
• Aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha
• Sistemas de comunicación en frecuencias hasta 520 MHz