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Ficha Técnica - MRF475 | SYSCOM
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Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.
Imágenes del Producto
Información Básica
Marca
SYSCOM
Modelo
MRF475
Garantía
3
Características Principales
Transistor NPN de potencia RF de silicio
Frecuencia operativa hasta 30 MHz
Tensión colector-emisor 13.6 VCC
Corriente máxima 4.0 Amperios
Potencia salida 10 Watt
Paquete TO-220AB con configuración emisor común
Especificaciones Técnicas
Características Principales
Transistor NPN de potencia RF de silicio
Frecuencia operativa de hasta 30 MHz
Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC
Capacidad de corriente de 4.0 Amperios
Potencia de salida máxima de 10 Watt
Máximos Ratings
I
C
:
4.0 A
V
CE
:
18 V
V
CB
:
48 V
P
D
:
10 W @ T
C
= 25 °C
T
STG
:
-65 °C to +150 °C
T
J
:
-65 °C to +150 °C
θ
J-C
:
12.5 °C/W
Características Eléctricas
BV
CEO
:
18 V @ I
C
= 20 mA
BV
CES
:
48 V @ I
C
= 50 mA
BV
EBO
:
4.0 V @ I
E
= 5.0 mA
I
CBO
:
1.0 mA @ V
CB
= 25 V
h
FE
:
30-60 @ V
CE
= 5.0 V, I
C
= 500 mA
C
ob
:
125-145 pF @ V
CB
= 13.6 V, f = 1.0 MHz
G
P
:
10-12 dB
η:
40% @ P
out
= 12 W (PEP), V
CC
= 13.6 V, f = 2.0 MHz, I
CQ
= 300 mA
IMD:
-30 dB
Configuración Física
Paquete:
TO-220AB (Common Emitter)
Conexiones:
1 = BASE, 2 = COLLECTOR, 3 = EMITTER TAB = COLLECTOR