MOSFET Canal-N / 200 V / 40 A / 160 W / TO-220AB / Conmutación de Alta Velocidad
Imágenes del Producto
Información Básica
Marca
SYSCOM PARTS
Modelo
STP-40N20
Garantía
3
Características Principales
- Proceso STripFET que minimiza capacitancia de entrada y carga de puerta
- Optimizado como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados avanzados
- Alta eficiencia energética en aplicaciones de conmutación rápida
- Tolerancia a 200 V para sistemas de alto voltaje industrial
- Paquete TO-220AB compatible con montaje estándar en disipadores
- Capacidad de corriente continua de 40 A para cargas exigentes
Especificaciones Técnicas
MOSFET de canal N fabricado con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics, diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de puerta. Este componente de potencia soporta 200 V y 40 A con disipación de 160 W, resultando adecuado como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados avanzados de alta eficiencia. Su arquitectura optimizada para conmutación de alta velocidad lo posiciona como solución preferente en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y sistemas de gestión energética industrial donde se requieren transiciones rápidas y pérdidas mínimas de conmutación.
Características Generales
- • Tipo: MOSFET Canal-N
- • Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 200 V
- • Corriente continua de drenaje (ID): 40 A
- • Disipación de potencia: 160 W
- • Proceso de fabricación: STripFET
- • Encapsulado: TO-220AB
- • Aplicación primaria: Interruptor en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia
Desempeño Eléctrico
- Voltaje máximo: 200 V
- Corriente máxima: 40 A
- Potencia disipación: 160 W
- Capacitancia de entrada minimizada
- Carga de puerta reducida
Físico / Mecánico
- Encapsulado: TO-220AB
- Montaje: A través de orificio (THT)
- Compatible con disipadores estándar
- Terminales: Drenaje, Fuente, Puerta
Contenido del Paquete
- 1 × MOSFET STP40N20
- Encapsulado TO-220AB