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Panel Solar Fotovoltaico / 645 W / Eficiencia 23.88% / Tecnología HPBC 2.0 / Full Black / Degradación 0.35% Anual

Imágenes del Producto

Panel Solar Fotovoltaico / 645 W / Eficiencia 23.88% / Tecnología HPBC 2.0 / Full Black / Degradación 0.35% Anual - 1
Panel Solar Fotovoltaico / 645 W / Eficiencia 23.88% / Tecnología HPBC 2.0 / Full Black / Degradación 0.35% Anual - 2

Información Básica

Marca
LONGI
Modelo
LR772HVB645M
Garantía
15

Características Principales

  • Diseño full black sin busbars visibles para integración arquitectónica premium
  • Tecnología HPBC 2.0 con contactos posteriores para máxima captación solar
  • Coeficiente de temperatura -0.26%/°C que minimiza pérdidas en climas cálidos
  • Degradación de solo 0.35% anual del año 2 al 30 para mayor retorno de inversión
  • Wafers Tairay 16% más resistentes a la flexión para mayor durabilidad estructural
  • Tolerancia de potencia 0~3% que garantiza rendimiento nominal o superior

Especificaciones Técnicas

Panel solar fotovoltaico monocristalino de 645 W con tecnología HPBC 2.0 (Heterojunction Passivated Back Contact) de segunda generación. Diseño full black que elimina los busbars visibles en la superficie frontal, logrando una estética uniforme orientada a integraciones arquitectónicas premium en instalaciones residenciales y comerciales. La arquitectura back contact ubica todos los contactos eléctricos en la parte posterior de la celda, reduciendo la sombra frontal y maximizando la captación de irradiancia. Eficiencia del módulo del 23.88% con coeficiente de temperatura de -0.26%/°C, optimizado para operación en climas cálidos. Degradación garantizada de 0.35% anual desde el año 2 hasta el año 30. Wafers Tairay con resistencia a la flexión 16% superior al estándar convencional.

Características Generales

  • Potencia máxima: 645 W con tolerancia 0~3%
  • Eficiencia del módulo: 23.88%
  • Tecnología: HPBC 2.0 (Heterojunction Passivated Back Contact)
  • Diseño: Full black, sin busbars visibles
  • Tipo de celda: Monocristalino
  • Coeficiente de temperatura de potencia: -0.26%/°C
  • Degradación anual: 0.35% (año 2 al 30)
  • Wafers Tairay: 16% más resistentes a la flexión

Desempeño Eléctrico

  • Potencia máxima: 645 W
  • Tolerancia de potencia: 0~3%
  • Eficiencia del módulo: 23.88%
  • Coeficiente de temperatura de potencia: -0.26%/°C
  • Degradación anual: 0.35% (año 2 al 30)

Tecnología y Materiales

  • Tecnología celular: HPBC 2.0
  • Arquitectura: Back contact (contactos posteriores)
  • Tipo de celda: Monocristalino
  • Diseño superficial: Full black
  • Wafers: Tairay (16% más resistentes a flexión)

Aplicaciones y Ventajas

  • Integración arquitectónica premium
  • Estética uniforme sin busbars visibles
  • Máxima captación solar por ausencia de sombra frontal
  • Optimizado para climas cálidos
  • Mayor durabilidad estructural del wafer
SYSCOM.MX
Ficha técnica generada el 5 de noviembre de 2026
ID Producto: 261063