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Ficha Técnica - ZTX853-ND | SYSCOM
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Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92.
Imágenes del Producto
Información Básica
Marca
SYSCOM
Modelo
ZTX853-ND
Garantía
3
Características Principales
Transistor NPN de silicio con 100 Vce
Alta corriente de 4 Amperios
Frecuencia de operación de 130 MHz
Potencia media de 1.2 Watt
Encapsulado compacto TO-92 industrial
Temperatura operación -55 a +200 °C
Especificaciones Técnicas
Características Principales
Transistor NPN de silicio con 100 V
CE
Alta corriente de 4 Amperios
Frecuencia de operación a 130 MHz
Potencia media de 1.2 Watt
Formato compacto TO-92
Características Eléctricas
V
CEO
:
100 V
I
C
(continua):
4 A
f
T
:
130 MHz
P
tot
:
1.2 W
h
FE
:
100-300
V
CE(sat)
:
14-200 mV
V
BE(sat)
:
960-1100 mV
Características Mecánicas
Encapsulado:
TO-92
Temperatura de operación:
-55 a +200 °C
Resistencia térmica (Junto a Ambiente):
150 °C/W
Resistencia térmica (Junto a Carcasa):
50 °C/W
Características de Voltaje
V
CBO
:
200 V
V
CEO
:
100 V
V
EBO
:
6 V
V
CE(sat)
:
14-200 mV
V
BE(sat)
:
960-1100 mV
Características de Corriente
I
C
(continua):
4 A
I
C
(pico):
10 A
I
CBO
:
5-10 nA
I
EBO
:
10 nA
Características de Frecuencia
f
T
:
130 MHz
f
test
:
50 MHz
Características de Conmutación
t
on
:
50 ns
t
off
:
1650 ns
Características de Potencia
P
tot
a 25°C:
1.2 W
P
tot
práctica:
1.58 W
Aplicaciones Típicas
Conmutación de alta corriente
Amplificación de RF
Circuitos de potencia media
Fuentes de alimentación
Control de motores
Circuitos de protección