Transistor de Silicio NPN, 60 Vce, 25 Amp. , 200 Watt , Montaje TO-3
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Información Básica
Marca
RF PARTS
Modelo
2N5885
Garantía
3
Características Principales
- Transistor NPN de silicio de 60 Vce
- Corriente colector de 25 A continuos
- Disipación de 200 W a 25°C
- Bajo VCE(sat) de 1.0 V max
- Alta ganancia DC (hFE) de 20 min
- Ancho de banda 4.0 MHz min a 1.0 A
Especificaciones Técnicas
Características Principales
- Transistor de Silicio NPN
- Voltaje Colector-Emisor: 60 Vdc
- Corriente Colector: 25 Adc (máximo)
- Disipación de Potencia: 200 Watts
- Paquete: TO-3 (Montaje TO-204AA)
- Diseñado para aplicaciones de amplificación de potencia y conmutación
- Bajo voltaje de saturación Colector-Emisor
- Baja corriente de fuga
- Excelente ganancia de corriente DC
- Alto ancho de banda de ganancia de corriente
Especificaciones Principales
- VCE(sat): 1.0 Vdc (máximo) a IC = 15 Adc
- ICEX: 1.0 mAdc (máximo) a voltaje nominal
- hFE: 20 (mínimo) a IC = 10 Adc
- ft: 4.0 MHz (mínimo) a IC = 1.0 Adc
- VCEO: 60 Vdc
- IC: 25 Adc (continua), 50 Adc (pico)
- PD: 200 Watts @ TC = 25°C
- Derating: 1.15 W/°C sobre 25°C
- TJ, Tstg: Rango de temperatura -65 a +200°C
Especificaciones Eléctricas
Características ON
- VCE(sat): 1.0 Vdc (máx) a IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc
- VCE(sat): 4.0 Vdc (máx) a IC = 25 Adc, IB = 6.25 Adc
- VBE(sat): 2.5 Vdc (máx) a IC = 25 Adc, IB = 6.25 Adc
- VBE(on): 1.5 Vdc (máx) a IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc
Características OFF
- ICEO: 2.0 mAdc (máx) a VCE = 30 Vdc, IB = 0
- ICEX: 1.0 mAdc (máx) a VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc
- ICEX: 10 mAdc (máx) a VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150°C
- ICBO: 1.0 mAdc (máx) a VCB = 60 Vdc, IE = 0
- IEBO: 1.0 mAdc (máx) a VEB = 5.0 Vdc, IC = 0
Características Dinámicas y de Conmutación
Características Dinámicas
- fT: 4.0 MHz (mín) a IC = 1.0 Adc
- Cob: 500 pF (máx) a VCB = 10 Vdc
- hfe: 20 (mín) a IC = 3.0 Adc
Características de Conmutación
- tr: 0.7 ms (máx) a VCC = 30 Vdc
- ts: 1.0 ms (máx) a VCC = 30 Vdc
- tf: 0.8 ms (máx) a VCC = 30 Vdc
Características Térmicas
- qJC: 0.875°C/W (máx) Resistencia térmica, unión a carcasa
- Derating: 1.15 W/°C sobre 25°C
- TJ(pk)-TC: P(pk) qJC(t) para tren de pulsos
- Región segura de operación: Limitada por disipación térmica, segundo breakdown y límites de alambrado
Condiciones de Prueba
- Prueba de pulso: Ancho de pulso ≤ 300 μs, ciclo de trabajo ≤ 2.0%
- fT = |hfe| • ftest
- Para curvas de conmutación: RB y RL variables
- Niveles de entrada aproximados como se muestra
Aplicaciones Típicas
- Amplificadores de potencia
- Circuitos de conmutación
- Fuentes de alimentación
- Controles industriales
- Circuitos de potencia general
Información de Empaque
El transistor 2N5885 está disponible en empaque TO-3 (Caso 1-07, TO-204AA) para montaje en disipadores de calor. El diseño de montaje permite una disipación térmica eficiente y una fácil instalación en circuitos de potencia.