Transistor de Potencia NPN / 500 V / 15 A / 80 W / TO-3PM
Imágenes del Producto
Información Básica
Marca
SYSCOM PARTS
Modelo
2SC-3320
Garantía
3
Características Principales
- Silicio para alta potencia y eficiencia térmica
- Baja caída de saturación de 1.0 V para menor pérdida
- Apto para reguladores de switcheo e inversores
- Compatible con generadores ultrasónicos de alta frecuencia
- Empaque TO-3PM para montaje confiable y disipación
- Amplificadores de potencia de uso general
Especificaciones Técnicas
Transistor de Potencia NPN en Silicio
Este transistor NPN de silicio está diseñado para aplicaciones de alta potencia que demandan control eficiente de corriente y voltaje. Su arquitectura permite manejar hasta 15 A de corriente de colector con una disipación térmica de 80 W, manteniendo una baja caída de voltaje en saturación de 1.0 V que minimiza las pérdidas energéticas. El encapsulado TO-3PM garantiza una instalación robusta y una disipación de calor óptima en entornos industriales. Es ideal para sistemas de conmutación, inversores de alta frecuencia, generadores ultrasónicos y etapas de amplificación de potencia.
Características Principales
- Transistor NPN de silicio para alta potencia
- Voltaje colector-base (VCBO) hasta 500 V
- Corriente máxima de colector (IC) de 15 A
- Disipación de potencia (PC) hasta 80 W
- Baja caída de voltaje en saturación VCE(sat): 1.0 V
- Encapsulado TO-3PM para alta confiabilidad térmica
Aplicaciones Típicas
- Reguladores de switcheo (SMPS)
- Inversores de alta frecuencia
- Generadores ultrasónicos
- Amplificadores de potencia de uso general
Especificaciones Técnicas
Voltaje Colector-Base
VCBO = 500 V
Voltaje Colector-Emisor
VCEO = 400 V
Voltaje Emisor-Base
VEBO = 7 V
Corriente de Colector
IC = 15 A
Disipación de Potencia
PC = 80 W
Tensión de Ruptura V(BR)CEO
400 V
Tensión de Ruptura V(BR)CBO
500 V
VCE(sat) Saturación
1.0 V (IC=6A, IB=1.2A)
VBE(sat) Saturación
1.5 V (IC=6A, IB=1.2A)
Corriente de Fuga ICBO
1.0 mA (VCB=500V, IE=0)
Encapsulado
TO-3PM