Transistor FET de RF / Hasta 8 GHz / Bajo Ruido / Encapsulado SMD

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Información Básica

Características Principales

• Transistor de efecto de campo (FET) de alta precisión
• Diseñado para aplicaciones de RF y microondas
• Frecuencia de operación hasta 8 GHz
• Bajo ruido y alta linealidad
• Encapsulado SMD para montaje superficial
• Compatibilidad con estándares industriales ICV8000