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Transistor FET de RF / Hasta 8 GHz / Bajo Ruido / Encapsulado SMD

Imágenes del Producto

Información Básica

Modelo
156-000-1061
Garantía
3

Características Principales

  • Transistor de efecto de campo (FET) de alta precisión
  • Diseñado para aplicaciones de RF y microondas
  • Frecuencia de operación hasta 8 GHz
  • Bajo ruido y alta linealidad
  • Encapsulado SMD para montaje superficial
  • Compatibilidad con estándares industriales ICV8000
SYSCOM.MX
Ficha técnica generada el 9 de noviembre de 2026
ID Producto: 73549