Transistor FET de RF / Alta Potencia / Hasta 1 GHz / 28 V

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Información Básica

Características Principales

• Transistor FET de alta potencia
• Diseñado para aplicaciones de RF
• Frecuencia de operación hasta 1 GHz
• Voltaje de operación de 28 V
• Corriente de drenaje de 150 mA
• Paquete hermético para mayor durabilidad