TRANSISTOR 3SK241 P/ICF3/F40845-8005231 08/08/98JZ

Imágenes del Producto

Información Básica

Características Principales

• Transistor de alta frecuencia hasta 1 GHz
• Diseñado para aplicaciones de RF y microondas
• Bajo ruido y alta ganancia
• Encapsulado TO-8 para disipación térmica eficiente
• Corriente de drenaje máxima de 20 mA
• Voltaje de ruptura VDS de 15 V

Especificaciones Técnicas