Transistor FET Canal N de RF / Frecuencia hasta 100 MHz / Ruptura 30V / Corriente de Drenaje 100 mA

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Información Básica

Características Principales

• Transistor de alta frecuencia hasta 100 MHz
• Diseño compacto para integración en circuitos pequeños
• Bajo ruido para aplicaciones de RF
• Tecnología FET de canal N para mayor eficiencia
• Tensión de ruptura de 30 V
• Corriente máxima de drenaje de 100 mA

Especificaciones Técnicas