CD4066BE Circuito Integrado Interruptor Cuádruple Bilateral, DIP-14. | SYSCOM

CD4066BE Circuito Integrado Interruptor Cuádruple Bilateral, DIP-14. | SYSCOM

Especificaciones

Características Principales

Cuatro interruptores bilaterales integrados en un chip
Formato DIP-14 para fácil montaje
Alta eficiencia en conmutación de señales
Compatibilidad con variados voltajes de operación
Bajo consumo de energía en operación

Características Eléctricas

Resistencia en estado on: 125-Ω típico para operación a 15-V
Rango de voltaje: 3V a 18V
Temperatura de operación: -55°C a 125°C
Corriente de fuga: 10pA típico
Impedancia de entrada: 10¹²Ω típico

Aplicaciones

Conmutación y multiplexión de señales analógicas y digitales
Transmisión de señales bidireccionales controladas por lógica digital
Implementación de lógica tipo transmisión
Conversión analógico-digital y digital-analógico
Control de frecuencia, impedancia, fase y ganancia de señales analógicas

Especificaciones

Encapsulado: DIP-14
Dimensiones: 19.30mm × 6.35mm
Resistencia on-state: 125-Ω típico
Matched on-state resistance: ±5Ω
Frecuencia de respuesta: 40MHz típico

Condiciones Operativas

Voltaje de suministro: 3V a 18V
Temperatura operativa: -55°C a 125°C
Corriente quiescente: 0.01-30µA
Distorsión: <0.5% típico
Crosstalk: -50dB típico

Configuración de Pines

14 pines: 4 interruptores bilaterales
Alimentación: VDD (pin 14) y VSS (pin 7)
Control: 4 pines de control independientes
Señales: 8 pines para señales I/O

Características Detalladas

Baja distorsión en señales analógicas
Alta relación señal de salida/voltaje de apagado
Bajo ruido y crosstalk entre canales
Conmutación bidireccional de señales
Bajo consumo de energía
Alta inmunidad al ruido
Operación estable en rango amplio de temperatura

Ventajas Técnicas

Baja resistencia en estado on
Resistencia constante en todo el rango de señal
Alta impedancia de entrada
Bajo consumo de energía
Compatibilidad con CMOS
Diseño compacto para PCB
Fácil integración en circuitos existentes

Información de Prueba

Prueba de corriente quiescente: 100% probado a 20-V
Clasificaciones paramétricas: 5-V, 10-V y 15-V
Temperatura de prueba: -55°C a 125°C
Prueba de distorsión: 0.4% típico a 1kHz

Condiciones de Almacenamiento

Temperatura de almacenamiento: -65°C a 150°C
Temperatura máxima de unión: 175°C (paquete cerámico), 150°C (paquete plástico)
Resistencia térmica: 53.7°C/W (PDIP), 89.5°C/W (SOIC)