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MRF392 Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01. | SYSCOM
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Refacciones
KENWOOD / ICOM / TXPRO
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MRF392
Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.
Transistor NPN de silicio para alta frecuencia
Rango operativo de 30 a 500 MHz
Tensión colector-emisor de 28 Vcc
Ganancia de 10 dB con eficiencia 55%
Potencia salida 125 W a 400 MHz
Doble transistor en encapsulado push-pull
Modelo
MRF392
Marca
SYSCOM
SAT
32111607
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Ficha Técnica
MRF392
Especificaciones
Características Principales
Transistor de silicio NPN de alta frecuencia
Rango de frecuencias: 30-500 MHz
Tensión de colector-emisor hasta 28 Vcc
Ganancia de 10 dB para amplificación eficaz
Potencia máxima de salida: 125 Watt
Máximos Permisibles
VCEO:
30 Vdc
VCBO:
60 Vdc
VEBO:
4.0 Vdc
IC:
16 Adc
PD:
270 Watts (a TC = 25°C)
Derate:
1.54 W/°C
Tstg:
-65 a +150 °C
TJ:
200 °C
Características Térmicas
RθJC:
0.65 °C/W
Características Eléctricas
hFE:
40-100 (a IC = 1.0 Adc)
Cob:
75-95 pF
Características de Operación
Ganancia:
8-10 dB
Eficiencia:
50-55%
VSWR:
30:1 sin degradación
Impedancia:
20 Ω
Configuración
Dos transistores en un solo encapsulado
Configuración push-pull
Emisores comunes
Redes de adaptación de impedancia integradas
Metabolización de oro para alta confiabilidad
Frecuencias de Operación
Frecuencia de prueba:
400 MHz
Rango de frecuencia:
30-500 MHz
Reducción de potencia:
10 W a 14 W
Tensión de prueba:
28 Vdc
Aplicaciones
Amplificadores de señal RF
Sistemas de comunicación de banda ancha
Equipos de prueba y medición RF
Sistemas de radiodifusión
Amplificadores lineales de alta potencia
Especificaciones de Prueba
Prueba de potencia:
125 W a 400 MHz
Prueba de eficiencia:
55% típico
Prueba de adaptación:
VSWR 30:1
Prueba de impedancia:
20 Ω
Impedancia Óptima
100 MHz:
0.72 + j0.44 Ω
225 MHz:
0.72 + j2.62 Ω
400 MHz:
3.88 + j5.72 Ω
450 MHz:
3.84 + j2.8 Ω
500 MHz:
1.26 + j3.01 Ω
Dimensiones
A:
22.60-23.11 mm
B:
9.52-10.03 mm
C:
6.65-7.16 mm
D:
1.60-1.95 mm
E:
2.94-3.40 mm
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