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1N1184A Diodo de Silicio de Recuperación Estándar 1N1184A, VRMS-70, VF-1.2, IF-35A, Cátodo en Base del DO-5. | SYSCOM
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1N1184A
Diodo de Silicio de Recuperación Estándar 1N1184A, VRMS-70, VF-1.2, IF-35A, Cátodo en Base del DO-5.
Diodo de silicio de recuperación estándar
Alta capacidad de sobrecarga 595 A
Voltaje inverso RMS 70 V
Corriente directa continua 35 A
Temperatura operación -55 a +150 °C
Cátodo en base del encapsulado DO-5
Modelo
1N1184A
Marca
SYSCOM
SAT
32111500
3 años de garantía
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Etiqueta Producto
Ficha Técnica
1N1184
Especificaciones
Características Principales
Diodo de Silicio de Recuperación Estándar
Tipo: Potencia Estándar 1N1184A
Polaridad Estándar: Cátodo en la Base
Alta Capacidad de Sobrecarga
No Sensitivo a Descargas Electrostáticas (ESD)
Temperatura de Operación: -55 a +150 °C
Especificaciones Eléctricas
Voltaje Repetitivo de Pico Inverso:
100 V
Voltaje Inverso RMS:
70 V
Voltaje de Bloqueo DC:
100 V
Corriente Directa Continua:
35 A
Corriente de Sobrecarga:
595 A (t = 8.3 ms, media onda sinusoidal)
Voltaje Directo:
1.2 V (I
F
= 35 A, T
j
= 25 °C)
Corriente Inversa:
10 μA (V
R
= 50 V, T
j
= 25 °C)
Especificaciones Térmicas
Resistencia Térmica (Junto a Carcaza):
0.25 °C/W
Temperatura de Almacenamiento:
-55 a +150 °C
Empaque
Tipo:
DO-5 (DO-203AB)
Aplicaciones
Fuentes de Alimentación
Sistemas de Potencia
Rectificación Industrial
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