RadiocomunicaciónRefaccionesKENWOOD / ICOM / TXPRO
Imagen

FET P/NXR710/810K

  • Transistor FET de alta eficiencia
  • Diseño compacto y resistente
  • Bajo consumo de energía
  • Amplia gama de frecuencias
  • Compatible con múltiples dispositivos
  • Óptimo para entornos industriales
Modelo2SJ-506ES
MarcaKENWOOD
SAT32101500
1 año de garantía

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Especificaciones

Características del producto

  • Transistor de efecto de campo (FET) modelo 2SJ506ES de KENWOOD
  • Referencia cruzada: P/NXR710/810K
  • Tipo: P-canal, MOSFET de potencia
  • Aplicación: Amplificadores de potencia, circuitos de conmutación
  • Características técnicas típicas: Alta capacidad de corriente, bajo RDS(on), alta fiabilidad
Especificaciones
  • Tipo: P-canal MOSFET
  • Corriente de drenaje: 20A (máximo)
  • Voltaje drenaje-fuente: 60V
  • RDS(on): 0.18Ω (máximo)
  • Disipación de potencia: 150W
Aplicaciones típicas
  • Amplificadores de audio de alta potencia
  • Circuitos de conmutación de alta corriente
  • Fuentes de alimentación conmutadas
  • Controladores de motores