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90611029 Transistor FET Canal N de RF / Frecuencia hasta 100 MHz / Ruptura 30V / Corriente de Drenaje 100 mA | SYSCOM
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906-110-29
Transistor FET Canal N de RF / Frecuencia hasta 100 MHz / Ruptura 30V / Corriente de Drenaje 100 mA
Transistor de alta frecuencia hasta 100 MHz
Diseño compacto para integración en circuitos pequeños
Bajo ruido para aplicaciones de RF
Tecnología FET de canal N para mayor eficiencia
Tensión de ruptura de 30 V
Corriente máxima de drenaje de 100 mA
Modelo
906-110-29
Marca
SAT
32111607
3 años de garantía
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Etiqueta Producto
Ficha Técnica
Especificaciones
Información del Producto
Producto:
TRANSISTOR 3SK166 P/ICF3/F40845-8005231 08/08/98JZ
Marca:
Modelo:
90611029
Modo:
MEJORAR_BASICO
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