Transistor de Silicio NPN, 60 Vce, 25 Amp. , 200 Watt , Montaje TO-3

Características Principales

• Transistor de Silicio NPN
• Voltaje Colector-Emisor: 60 Vdc
• Corriente Colector: 25 Adc (máximo)
• Disipación de Potencia: 200 Watts
• Paquete: TO-3 (Montaje TO-204AA)
• Diseñado para aplicaciones de amplificación de potencia y conmutación
• Bajo voltaje de saturación Colector-Emisor
• Baja corriente de fuga
• Excelente ganancia de corriente DC
• Alto ancho de banda de ganancia de corriente

Especificaciones Principales

• VCE(sat): 1.0 Vdc (máximo) a IC = 15 Adc
• ICEX: 1.0 mAdc (máximo) a voltaje nominal
• hFE: 20 (mínimo) a IC = 10 Adc
• ft: 4.0 MHz (mínimo) a IC = 1.0 Adc
• VCEO: 60 Vdc
• IC: 25 Adc (continua), 50 Adc (pico)
• PD: 200 Watts @ TC = 25°C
• Derating: 1.15 W/°C sobre 25°C
• TJ, Tstg: Rango de temperatura -65 a +200°C

Especificaciones Eléctricas

Características Dinámicas y de Conmutación

Características Térmicas

• qJC: 0.875°C/W (máx) Resistencia térmica, unión a carcasa
• Derating: 1.15 W/°C sobre 25°C
• TJ(pk)-TC: P(pk) qJC(t) para tren de pulsos
• Región segura de operación: Limitada por disipación térmica, segundo breakdown y límites de alambrado

Condiciones de Prueba

• Prueba de pulso: Ancho de pulso ≤ 300 μs, ciclo de trabajo ≤ 2.0%
• fT = |hfe| • ftest
• Para curvas de conmutación: RB y RL variables
• Niveles de entrada aproximados como se muestra