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1560001061 Transistor FET de RF / Hasta 8 GHz / Bajo Ruido / Encapsulado SMD | SYSCOM

Radiocomunicación Refacciones KENWOOD / ICOM / TXPRO

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Refacciones
KENWOOD / ICOM / TXPRO
156-000-1061

Imagen

Transistor FET de RF / Hasta 8 GHz / Bajo Ruido / Encapsulado SMD

Transistor de efecto de campo (FET) de alta precisión
Diseñado para aplicaciones de RF y microondas
Frecuencia de operación hasta 8 GHz

Bajo ruido y alta linealidad

Encapsulado SMD para montaje superficial

Compatibilidad con estándares industriales ICV8000

Modelo156-000-1061

Marca

SAT32111607

3 años de garantía

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Etiqueta Producto Ficha Técnica

Refacciones

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