Transistor FET de RF / Alta Potencia / Hasta 1 GHz / 28 V
- Transistor FET de alta potencia
- Diseñado para aplicaciones de RF
- Frecuencia de operación hasta 1 GHz
- Voltaje de operación de 28 V
- Corriente de drenaje de 150 mA
- Paquete hermético para mayor durabilidad
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