MRF1550FNT1 Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC. | SYSCOM

MRF1550FNT1 Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC. | SYSCOM

Especificaciones

Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC

Características Principales

Transistor RF de potencia N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Frecuencia máxima: 175 MHz
Potencia de salida: 50 W
Voltaje de alimentación: 12.5 V
Ganancia: 14.5 dB
Eficiencia: 55%
Tensión de umbral (VGS(th)): 1-3 V
Resistencia de on-state (RDS(on)): 0.5 Ω
Paquete plástico con capacidad hasta 200°C

Características Avanzadas

Diseñado para aplicaciones comerciales e industriales
Alta estabilidad térmica
Capaz de manejar VSWR de 20:1
Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande
Amplia banda: 135-175 MHz
Paquete TO-272-6 plástico
Cumple con RoHS (sin plomo)
Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF
Capacitancia de salida (Coss): 250 pF
Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 35 pF

Ratings Máximos

Voltaje drenador-fuente (VDSS): -0.5 a +40 Vdc
Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20 Vdc
Corriente de drenador (ID): 12 Adc
Disipación total del dispositivo (PD): 165 W @ TC = 25°C
Derating: 0.50 W/°C por encima de 25°C
Rango de temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C
Temperatura de unión: 200 °C

Características Térmicas

Resistencia térmica (RθJC): 0.75 °C/W
Clasificación de sensibilidad a la humedad: Nivel 3
Temperatura máxima de pico: 260 °C
Temperatura de unión: 200 °C

Características Eléctricas

Corriente de fuga drenador-fuente (IDSS): ≤1 μAdc
Corriente de fuga compuerta-fuente (IGSS): ≤0.5 μAdc
Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF
Capacitancia de salida (Coss): 250 pF
Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 35 pF

RF Características

Ganancia de potencia (Gps): 14.5 dB
Eficiencia: 55%
Impedancia de entrada: 4.1 + j0.5 Ω @ 135 MHz
Impedancia de salida: 1.0 + j0.6 Ω @ 135 MHz
Frecuencia de prueba: 175 MHz

Diseño y Aplicaciones

Diseñado para aplicaciones en banda ancha (135-175 MHz)
Adecuado para equipos móviles de FM a 12.5 V
Requiere disipación térmica adecuada en el diseño
Tecnología Lateral RF Power MOSFET con alta ganancia
Protección contra voltaje transitorio mediante circuito externo
Circuito de polarización de compuerta mediante divisor resistivo
Capaz de operar con cargas desajustadas

Consideraciones de Manejo

Requiere precauciones contra descarga electrostática
No dejar la compuerta abierta o flotante
Recomendado para montaje superficial automático
Máxima corriente de polarización: 500 mA
Requiere circuito de protección externo para la compuerta
Uso de resistencia para mantener baja impedancia compuerta-fuente

Especificaciones de Prueba

Las pruebas se realizaron con las siguientes condiciones:

Voltaje de alimentación (VDD): 12.5 Vdc
Corriente de polarización (IDQ): 500 mA
Potencia de salida (Pout): 50 W
Frecuencia de prueba: 175 MHz

Información de Fabricación

Paquete: TO-272-6 PLASTIC
Estilo de paquete: CASE 1264A-03, STYLE 1
Empaque: Cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm)
Conformidad: RoHS, sin plomo (sufijo N)

Parámetros S Comunes

A 12.5 Vdc, IDQ = 500 mA:

S11: 0.95 -178° @ 175 MHz
S21: 1.349 61° @ 175 MHz
S12: 0.008 -8° @ 175 MHz
S22: 0.90 -174° @ 175 MHz